PSEL劳厄系统单晶取向测试

劳厄单晶取向测试系统：

• 背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；
• PSEL 软件定向误差低至 0.05度；
• 多晶硅片二维定向mapping；
• 大批量样品筛选；
• 超20kg重负荷样品定位

  水平放置系统

垂直放置系统

配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：

• 有效输入探测面约： 155*105 mm
• *小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列
• 可选曝光时间从1ms 到35分钟
• 芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度
• 自动背景扣除模式
• 16位高精度采集模式
• 12位快速预览模式
• PSEL 劳厄影像采集处理软件 

劳厄影像校准软件：

• 自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；
• 根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)
• 以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；
• 顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；
• 基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制；

系统附件包括：

• 劳厄X-RAY 探测器
• 劳厄校准软件
• 高亮度X-RAY 发生器
• 电动/手动 角位移台& 高精度位移台；
• 样本定位/视频监控 摄像头；
• 激光距离传感器/操纵杆

典型劳厄衍射应用图样：

劳厄单晶取向测试系统应用方向：

• 探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs,  InSb;
• 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3
• 金属合金： 钨，钼，镍基合金；
• 激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs
• 薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC;
• 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi
• 闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2;